Секреты зарубежных радиосхем. Устройство и маркировка биполярного транзистора Элементы радиоэлектронных схем

ГОСТ 2.730-73

Группа Т52

МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ

Единая система конструкторской документации

ОБОЗНАЧЕНИЯ УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ В СХЕМАХ

Приборы полупроводниковые

Unified system for design documentation. Graphical symbols in diagrams. Semiconductor devices

МКС 01.080.40
31.080

Дата введения 1974-07-01

ИНФОРМАЦИОННЫЕ ДАННЫЕ

1. РАЗРАБОТАН И ВНЕСЕН Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР

2. УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 16.08.73 N 2002

3. Соответствует СТ СЭВ 661-88

4. ВЗАМЕН ГОСТ 2.730-68 , ГОСТ 2.747-68 в части пп.33 и 34 таблицы

5. ИЗДАНИЕ (апрель 2010 г.) с Изменениями N 1, 2, 3, 4, утвержденными в июле 1980 г., апреле 1987 г., марте 1989 г., июле 1991 г. (ИУС 10-80, 7-87, 6-89, 10-91), Поправкой (ИУС 3-91)

1. Настоящий стандарт устанавливает правила построения условных графических обозначений полупроводниковых приборов на схемах, выполняемых вручную или автоматическим способом во всех отраслях промышленности.

(Измененная редакция, Изм. N 3).

2. Обозначения элементов полупроводниковых приборов приведены в табл.1.

Обозначения элементов полупроводниковых приборов

Таблица 1

(Измененная редакция, Изм. N 2, 3).

3, 4. (Исключены, Изм. N 1).
________________
* Таблицы 2, 3. (Исключены, Изм. N 1).

5. Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов, приведены в табл.4.

Знаки, характеризующие физические свойства полупроводниковых приборов

Таблица 4

6. Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов приведены в табл.5.

Примеры построения обозначений полупроводниковых диодов

Таблица 5

7. Обозначения тиристоров приведены в табл.6.

Обозначения тиристоров

Таблица 6

Примечание. Допускается обозначение тиристора с управлением по аноду изображать в виде продолжения соответствующей стороны треугольника.

8. Примеры построения обозначений транзисторов с P-N- переходами приведены в табл.7.

Примеры построения обозначений транзисторов

Таблица 7

Примечание. При выполнении схем допускается:

а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,

б) изображать корпус транзистора.

9. Примеры построения обозначений полевых транзисторов приведены в табл.8.

Примеры построения обозначений полевых транзисторов

Таблица 8

Примечание. Допускается изображать корпус транзисторов.

10. Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов приведены в табл.9.

Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов

Таблица 9

11. Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов приведены в табл.10

Примеры построения обозначений оптоэлектронных приборов

Таблица 10

Первый транзистор

На фото справа вы видите первый работающий транзистор, который был создан в 1947 году тремя учёными – Уолтером Браттейном, Джоном Бардином и Уильямом Шокли.

Несмотря на то, что первый транзистор имел не очень презентабельный вид, это не помешало ему произвести революцию в радиоэлектронике.

Трудно предположить, какой бы была нынешняя цивилизация, если бы транзистор не был изобретён.

Транзистор является первым твёрдотельным устройством, способным усиливать, генерировать и преобразовывать электрический сигнал. Он не имеет подверженных вибрации частей, обладает компактными размерами. Это делает его очень привлекательным для применения в электронике.

Это было маленькое вступление, а теперь давайте разберёмся более подробно в том, что же представляет собой транзистор.

Сперва стоит напомнить о том, что транзисторы делятся на два больших класса. К первому относятся так называемые биполярные, а ко второму – полевые (они же униполярные). Основой как полевых, так и биполярных транзисторов является полупроводник. Основной же материал для производства полупроводников - это германий и кремний, а также соединение галлия и мышьяка - арсенид галлия (GaAs ).

Стоит отметить, что наибольшее распространение получили транзисторы на основе кремния, хотя и этот факт может вскоре пошатнуться, так как развитие технологий идёт непрерывно.

Так уж случилось, но вначале развития полупроводниковой технологии лидирующее место занял биполярный транзистор. Но не многие знают, что первоначально ставка делалась на создание полевого транзистора. Он был доведён до ума уже позднее. О полевых MOSFET-транзисторах читайте .

Не будем вдаваться в подробное описание устройства транзистора на физическом уровне, а сперва узнаем, как же он обозначается на принципиальных схемах. Для новичков в электронике это очень важно.

Для начала, нужно сказать, что биполярные транзисторы могут быть двух разных структур. Это структура P-N-P и N-P-N. Пока не будем вдаваться в теорию, просто запомните, что биполярный транзистор может иметь либо структуру P-N-P, либо N-P-N.

На принципиальных схемах биполярные транзисторы обозначаются вот так.

Как видим, на рисунке изображены два условных графических обозначения. Если стрелка внутри круга направлена к центральной черте, то это транзистор с P-N-P структурой. Если же стрелка направлена наружу – то он имеет структуру N-P-N.

Маленький совет.

Чтобы не запоминать условное обозначение, и сходу определять тип проводимости (p-n-p или n-p-n) биполярного транзистора, можно применять такую аналогию.

Сначала смотрим, куда указывает стрелка на условном изображении. Далее представляем, что мы идём по направлению стрелки, и, если упираемся в «стенку» – вертикальную черту – то, значит, «Прохода Н ет»! "Н ет" – значит p-n -p (П-Н -П ).

Ну, а если идём, и не упираемся в "стенку", то на схеме показан транзистор структуры n-p-n. Похожую аналогию можно использовать и в отношении полевых транзисторов при определении типа канала (n или p). Про обозначение разных полевых транзисторов на схеме читайте

Обычно, дискретный, то есть отдельный транзистор имеет три вывода. Раньше его даже называли полупроводниковым триодом. Иногда у него может быть и четыре вывода, но четвёртый служит для подключения металлического корпуса к общему проводу. Он является экранирующим и не связан с другими выводами. Также один из выводов, обычно это коллектор (о нём речь пойдёт далее), может иметь форму фланца для крепления к охлаждающему радиатору или быть частью металлического корпуса.

Вот взгляните. На фото показаны различные транзисторы ещё советского производства, а также начала 90-ых.

А вот это уже современный импорт.

Каждый из выводов транзистора имеет своё назначение и название: база, эмиттер и коллектор. Обычно эти названия сокращают и пишут просто Б (База ), Э (Эмиттер ), К (Коллектор ). На зарубежных схемах вывод коллектора помечают буквой C , это от слова Collector - "сборщик" (глагол Collect - "собирать"). Вывод базы помечают как B , от слова Base (от англ. Base - "основной"). Это управляющий электрод. Ну, а вывод эмиттера обозначают буквой E , от слова Emitter - "эмитент" или "источник выбросов". В данном случае эмиттер служит источником электронов, так сказать, поставщиком.

В электронную схему выводы транзисторов нужно впаивать, строго соблюдая цоколёвку. То есть вывод коллектора запаивается именно в ту часть схемы, куда он должен быть подключен. Нельзя вместо вывода базы впаять вывод коллектора или эмиттера. Иначе не будет работать схема.

Как узнать, где на принципиальной схеме у транзистора коллектор, а где эмиттер? Всё просто. Тот вывод, который со стрелкой – это всегда эмиттер. Тот, что нарисован перпендикулярно (под углом в 90 0) к центральной черте – это вывод базы. А тот, что остался – это коллектор.

Также на принципиальных схемах транзистор помечается символом VT или Q . В старых советских книгах по электронике можно встретить обозначение в виде буквы V или T . Далее указывается порядковый номер транзистора в схеме, например, Q505 или VT33. Стоит учитывать, что буквами VT и Q обозначаются не только биполярные транзисторы, но и полевые в том числе.

В реальной электронике транзисторы легко спутать с другими электронными компонентами, например, симисторами, тиристорами, интегральными стабилизаторами, так как те имеют такие же корпуса. Особенно легко запутаться, когда на электронном компоненте нанесена неизвестная маркировка.

В таком случае нужно знать, что на многих печатных платах производится разметка позиционирования и указывается тип элемента. Это так называемая шелкография. Так на печатной плате рядом с деталью может быть написано Q305. Это значит, что этот элемент транзистор и его порядковый номер в принципиальной схеме – 305. Также бывает, что рядом с выводами указывается название электрода транзистора. Так, если рядом с выводом есть буква E, то это эмиттерный электрод транзистора. Таким образом, можно чисто визуально определить, что же установлено на плате – транзистор или совсем другой элемент.

Как уже говорилось, это утверждение справедливо не только для биполярных транзисторов, но и для полевых. Поэтому, после определения типа элемента, необходимо уточнять класс транзистора (биполярный или полевой) по маркировке, нанесённой на его корпус.

Полевой транзистор FR5305 на печатной плате прибора. Рядом указан тип элемента - VT

Любой транзистор имеет свой типономинал или маркировку. Пример маркировки: КТ814. По ней можно узнать все параметры элемента. Как правило, они указаны в даташите (datasheet). Он же справочный лист или техническая документация. Также могут быть транзисторы этой же серии, но чуть с другими электрическими параметрами. Тогда название содержит дополнительные символы в конце, или, реже, в начале маркировки. (например, букву А или Г).

Зачем так заморачиваться со всякими дополнительными обозначениями? Дело в том, что в процессе производства очень сложно достичь одинаковых характеристик у всех транзисторов. Всегда есть определённое, пусть и, небольшое, но отличие в параметрах. Поэтому их делят на группы (или модификации).

Строго говоря, параметры транзисторов разных партий могут довольно существенно различаться. Особенно это было заметно ранее, когда технология их массового производства только оттачивалась.

Все радиотехнические устройства буквально напичканы массой радиодеталей. Чтобы понимать содержимое плат, нужно разбираться в видах и предназначении деталей. Радиоэлементы расположены в определённом порядке. Связанные дорожками на плате, они представляют собой электронное устройство, которое обеспечивают работу радиотехнического оборудования различного назначения. Существуют международное обозначение радиодеталей на схеме и их название.

Классификация радиоэлементов

Систематизация электронных компонентов нужна для того, чтобы радиотехник, инженер электроник могли свободно ориентироваться в подборе радиодеталей для создания и ремонта плат радиотехнических устройств. Классификацию наименований и видов радиодеталей производят по трём направлениям:

• способ монтажа;
• назначение.

ВАХ

Аббревиатура из трёх букв ВАХ расшифровывается как вольт-амперная характеристика. ВАХ отражает зависимость тока от напряжения, протекающего в каком-либо радиокомпоненте. Характеристики выглядят в виде графиков, где по ординате откладывают значения силы тока, по абсциссе отмечают величину напряжения. По форме графика радиокомпоненты разделяют на пассивные и активные элементы.

Пассивные

Радиодетали, чьи характеристики выглядят в виде прямой линии, называют линейными или пассивными радиоэлементами. К пассивным деталям относятся:

• резисторы (сопротивления);
• конденсаторы (ёмкости);
• дроссели;
• реле и соленоиды;
• индуктивные катушки;
• трансформаторы;
• кварцевые (пьезоэлектрические) резонаторы.

Активные

К элементам с нелинейной характеристикой относятся:

• транзисторы;
• тиристоры и симисторы;
• диоды и стабилитроны;
• фотоэлектрические элементы.

Характеристики, выраженные на графиках изогнутой функцией, относятся к нелинейным радиоэлементам.

Способ монтажа

По способу монтажа их делят на три категории:

• установка методом объёмной пайки;
• поверхностный монтаж на печатные платы;
• соединения с помощью разъёмов и цоколей.

Назначение

По своему назначению радиоэлементы можно разбить на несколько групп:

• функциональные детали, закреплённые на платах (вышеперечисленные компоненты);
• устройства отображения, к ним относятся различные табло, индикаторы и прочее;
• акустические устройства (микрофоны, динамики);
• вакуумные газоразрядные: электронно-лучевая трубка, октоды, лампы бегущей и обратной волны, светодиоды и ЖК экраны;
• термоэлектрические детали – термопары, терморезисторы.

Виды радиодеталей

По функциональным возможностям радиодетали разделяют на следующие компоненты.

Резисторы и их виды

Сопротивление нужно для ограничения силы тока в электросхемах, также оно создаёт падение напряжения на отдельном участке электрической цепи.

Резистор характеризуется тремя параметрами:

• номинальное сопротивление;
• рассеиваемая мощность;
• допуск.

Номинальное сопротивление

Эта величина обозначается в Омах и его производных. Значение сопротивления для радиотехнических резисторов заключается в пределах от 0,001 до 0,1 Ом.

Рассеиваемая мощность

Если ток превышает номинальную величину для определённого резистора, то он может перегореть. В случае протекания тока силой 0.1 А через сопротивление его принимаемая мощность должна быть не менее 1 Вт. Если поставить деталь мощностью 0,5 Вт, то она быстро выйдет из строя.

Допуск

Величина допуска сопротивления присваивается резистору производителем. Технология производства не позволяет добиться абсолютной точности величины сопротивления. Поэтому резисторы имеют допуски отклонения параметра в ту или другую сторону.

Для бытовой техники допуск может быть от – 20% до + 20%. Например, резистор 1 Ом может быть по факту 0,8 или 1,2 Ом. Для высокоточных систем, применяемых в военной и медицинской сферах, допуск составляет 0,1-0,01%.

Виды сопротивлений

Кроме обычных сопротивлений, установленных на платах, существуют такие резисторы, как:

1. Переменные;
2. SMD резисторы.

Переменные (подстроечные)

Наглядным примером переменного сопротивления является регулятор уровня громкости звука в любой бытовой радиотехники. Внутри корпуса находится графитовый диск, по которому перемещается съёмник тока. Положение съёмника регулирует величину сопротивления площади диска, через который проходит ток. За счёт этого изменяется сопротивление в цепи, и меняется уровень громкости.

SMD резисторы

В компьютерах и аналогичной технике устанавливают на платах SMD резисторы. Чипы изготавливают по плёночной технологии. Параметр сопротивления зависит от толщины резистивной плёнки. Поэтому изделия делят на два вида: толстоплёночные и тонкоплёночные.

Конденсаторы

Радиоэлемент накапливает электрический заряд, разделяя переменную и постоянную составляющую тока, фильтруя пульсирующий поток электрической энергии. Конденсатор состоит из двух токопроводящих обкладок, между которых вложен диэлектрик. В качестве прокладки используют воздух, картон, керамику, слюду и пр.

Характеристикой радиокомпонента являются:

• номинальная ёмкость;
• номинальное напряжение;
• допуск.

Номинальная ёмкость

Ёмкость конденсаторов выражают в микрофарадах. Величина ёмкости в этих единицах измерения обычно отображается числом на корпусе детали.

Номинальное напряжение

Обозначение вольтажа радиодеталей даёт представление о напряжении, при котором конденсатор может исполнять свои функции. В случае превышения допустимой величины деталь будет пробита. Повреждённый конденсатор станет простым проводником.

Допуск

Допустимое колебание напряжения достигает 20-30% от номинального значения. Такой допуск разрешён для использования радиокомпонентов в бытовой аппаратуре. В устройствах высокой точности допустимое изменение напряжения составляет в пределах не более 1%.

Акустика

К элементам акустики относятся динамики различной конфигурации. Их всех объединяет единый принцип строения. Назначение громкоговорителей заключается в преобразовании изменений частоты электрического тока в звуковые колебания воздуха.

Интересно. Динамические головки прямого излучения встроены в радиотехнические устройства во всех сферах деятельности человека.

Основные параметры акустики следующее.

Номинальное сопротивление

Величину электрического сопротивления можно определить замером цифрового мультиметра на звуковой катушке динамика. Она представляет собой обычную катушку индуктивности. Большинство звуковых приборов акустики обладает сопротивлением в пределах от 2 до 8 Ом.

Диапазон частот

Слух человека восприимчив к звуковым колебаниям в пределах от 20 Гц до 20000 Гц. Одно акустическое устройство не может воспроизвести весь этот диапазон звуковых частот. Поэтому для идеального воспроизведения звука динамики делают трёх видов: низкочастотные, средние и громкоговорители высокой частоты.

Внимание! Разночастотные звуковые головки объединяют в единую систему акустики (колонки). Каждый из динамиков воспроизводит звуки в своём диапазоне, в сумме получается идеальное звучание.

Мощность

Величина мощности каждого конкретного динамика указана на его тыльной стороне в Ваттах. Если на динамическую головку будет подан электрический импульс, превышающий номинальную мощность устройства, то динамик начнёт искажать звук и вскоре выйдет из строя.

Диоды

Переворот в производстве радиоприёмников в прошлом веке совершили диоды и транзисторы. Они заменили собой громоздкие радиолампы. Радиокомпонент представляет запорное устройство по аналогии с водопроводным краном. Радиоэлемент действует в одном направлении электрического тока. Поэтому его называют полупроводником.

Измерители электрических величин

К параметрам, характеризующим электрический ток, относятся три показателя: сопротивление, напряжение и сила тока. Ещё совсем недавно для измерения этих величин пользовались громоздкими приборами такими, как амперметр, вольтметр и омметр. Но с приходом эры транзисторов и микросхем появились компактные устройства – мультиметры, которыми можно определить все три характеристики тока.

Важно! Радиолюбитель в своём арсенале должен иметь мультиметр. Это универсальное устройство позволяет тестировать радиоэлементы, замерять различные характеристики проходящего тока на всех участках радиосхемы.

Для стыковки узлов схем без пайки применяют различные виды разъёмов. Производители радиотехники используют компактные конструкции контактных соединений.

Переключатели

Функционально они выполняют работу тех же разъёмов. Отличием является то, что отключение и включение электрического потока производится без нарушения целостности электрической цепи.

Маркировка радиодеталей

Важно понимать маркировку радиодеталей. На корпус элемента наносят информацию о его характеристик. Например, мощность резистора обозначают цифрами или цветовыми полосами. Описать все маркировки в одной статье весьма затруднительно. В сети можно скачать справочное пособие по маркировке радиоэлементов и их описание.

Обозначение радиодеталей на электросхемах

Обозначение на схемах радиоэлементов выглядит в виде графических фигур. Так, например, резистор изображают вытянутым прямоугольником с рядом расположенной буквой «R» и порядковым номером. «R15» означает, что резистор по схеме является 15-м по счёту. Тут же прописывают величину рассеваемой мощности сопротивления.

Особое внимание нужно уделить обозначению на микросхемах. К примеру, можно рассмотреть микросхему КР155ЛАЗ. Первая буква «К» означает широкую область применения. Если будет стоять «Э», то это экспортное исполнение. Вторая литера «Р» определяет материал и тип корпуса. В данном случае это пластмасса. Единица – это тип детали, в примере это полупроводниковая микросхема. 55 – порядковый номер серии. Последующие буквы выражают логику И-НЕ.

С чего начать чтение схем

Начинать надо с чтения принципиальных схем. Для более эффективного обучения нужно изучение теории совмещать с практикой. Необходимо понимать все обозначения на плате. Для этого существует масса информации в интернете. Будет неплохо иметь под рукой справочный материал в книжном формате. Параллельно с усвоением теории нужно научиться паять простые схемы.

Как соединяются радиоэлементы в схеме

Для соединения радиокомпонентов используют платы. Чтобы сделать контактные дорожки, применяют специальный раствор для травления медной фольги на диэлектрическом слое печатной платы. Лишняя фольга удаляется, остаются только нужные дорожки. К их краям припаивают выводы деталей.

Дополнительная информация. Литиевые аккумуляторы, нагреваясь от паяльника, могут вздуться и разрушиться. Чтобы этого не происходило, применяют точечную сварку.

Буквенное обозначение радиоэлементов в схеме

Чтобы расшифровать буквенные обозначения деталей в схеме, нужно воспользоваться специальными таблицами, утверждённые ГОСТом. Первая буква означает устройство, вторая и третья литера уточняют конкретный вид радиокомпонента. Например, F означает разрядник или предохранитель. Полностью буквы FV дают знать, что это предохранитель.

Графическое обозначение радиоэлементов в схеме

Графика схем включает в себя условное двухмерное обозначение радиоэлементов, принятых во всём мире. Например, резистор – прямоугольник, транзистор – круг, в котором линиями показано направление тока, дроссель – растянутая пружинка и т.д.

Начинающий радиолюбитель должен иметь под рукой таблицу изображений радиодеталей. Ниже приведены примеры таблиц графических обозначений радиодеталей.

Для начинающих радиолюбителей важно запастись справочной литературой, где можно найти информацию о предназначении определённого радиокомпонента и его характеристиках. Как изготовить самостоятельно печатные платы и как правильно паять схемы, можно научиться по видео урокам в сети.

Видео

Почти все УОС, все изделия радиоэлектроники и электротехники, изготавливаемые промышленными организациями и предприятиями, домашними мастерами, юными техниками и радиолюбителями, содержат в своем составе определенное количество разнообразных покупных ЭРИ и элементов, выпускаемых в основном отечественной промышленностью. Но за последнее время наблюдается тенденция применения ЭРЭ и комплектующих изделий зарубежного производства. К ним можно отнести в первую очередь ППП, конденсаторы, резисторы, трансформаторы, дроссели, электрические соединители, аккумуляторы, ХИТ, переключатели, установочные изделия и некоторые другие виды ЭРЭ.

Применяемые покупные комплектующие или самостоятельно изготавливаемые ЭРЭ обязательно находят свое отражение на принципиальных и монтажных электрических схемах устройств, в чертежах и другой ТД, которые выполняются в соответствии с требованиями стандартов ЕСКД.

Особое внимание уделяется принципиальным электрическим схемам, которые определяют не только основные электрические параметры, но и все входящие в устройства элементы и электрические связи между ними. Для понимания и чтения принципиальных электрических схем необходимо тщательно ознакомиться с входящими в них элементами и комплектующими изделиями, точно знать область применения и принцип действия рассматриваемого устройства. Как правило, сведения о применяемых ЭРЭ указываются в справочниках и спецификации - перечне этих элементов.

Связь перечня комплектующих ЭРЭ с их условными графическими обозначениями осуществляется через позиционные обозначения.

Для построения условных графических обозначений ЭРЭ используются стандартизованные геометрические символы, каждый из которых применяют отдельно или в сочетании с другими. При этом смысл каждого геометрического образа в условном обозначении во многих случаях зависит от того, в сочетании с каким другим геометрическим символом он применяется.

Стандартизованные и наиболее часто применяемые условные графические обозначения ЭРЭ в принципиальных электрических схемах приведены на рис. 1. 1. Эти обозначения касаются всех комплектующих элементов схем, включая ЭРЭ, проводники и соединения между ними. И здесь важнейшее значение приобретает условие правильного обозначения однотипных комплектующих ЭРЭ и изделий. Для этой цели применяются позиционные обозначения, обязательной частью которых является буквенное обозначение вида элемента, типа его конструкции и цифровое обозначение номера ЭРЭ. На схемах используется также дополнительная часть обозначения позиции ЭРЭ, указывающая функцию элемента, в виде буквы. Основные виды буквенных обозначений элементов схем приведены в табл. 1.1.

Обозначения на чертежах и схемах элементов общего применения относятся к квалификационным, устанавливающим род тока и напряжения,. вид соединения, способы регулирования, форму импульса, вид модуляции, электрические связи, направление передачи тока, сигнала, потока энергии и др.

В настоящее время у населения и в торговой сети находится в эксплуатации значительное количество разнообразных электронных приборов и устройств, радио- и телевизионной аппаратуры, которые изготавливаются зарубежными фирмами и различными акционерными обществами. В магазинах можно приобрести различные типы ЭРИ и ЭРЭ с иностранными обозначениями. В табл. 1. 2 приведены сведения о наиболее часто встречающихся ЭРЭ зарубежных стран с соответствующими обозначениями и их аналоги отечественного производства.

Эти сведения впервые публикуются в таком объеме.

1- транзистор структуры р-n-р в корпусе, общее обозначение;

2- транзистор структуры n-р-n в корпусе, общее обозначение,

3 - транзистор полевой с p-n переходом и п каналом,

4 - транзистор полевой с p-n переходом и р каналом,

5 - транзистор однопереходный с базой п типа, б1, б2 - выводы базы, э - вывод эмиттера,

6 - фотодиод,

7 - диод выпрямительный,

8 - стабилитрон (диод лавинный выпрямительный) односторонний,

9 - диод тепло-электрический,

10 - динистор диодный, запираемый в обратном направлении;

11 - стабилитрон (диодолавинный выпрямительный) с двусторонней проводимостью,

12 - тиристор триодный;

13 - фоторезистор;

14 - переменный резистор, реостат, общее обозначение,

15 - переменный резистор,

16 - переменный резистор с отводами,

17 - подстроечный резистор-потенциометр;

18 - терморезистор с положительным температурным коэффициентом прямого нагрева (подогрева),

19 - варистор;

20 - конденсатор постоянной емкости, общее обозначение;

21 - конденсатор постоянной емкости поляризованный;

22 - конденсатор оксидный поляризованный электролитический, общее обозначение;

23 - резистор постоянный, общее обозначение;

24 - резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 05 Вт;

25 - резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 125 Вт,

26 - резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 25 Вт,

27 - резистор постоянный с номинальной мощностью 0, 5 Вт,

28 - резистор постоянный с номинальной мощностью 1 Вт,

29 - резистор постоянный с номинальной мощностью рассеяния 2 Вт,

30 - резистор постоянный с номинальной мощностью рассеяния 5 Вт;

31 - резистор постоянный с одним симметричным дополнительным отводом;

32 - резистор постоянный с одним несимметричным дополнительным отводом;

Рис 1.1 Условные графические обозначения ЭРЭ в схемах электрических, радиотехнических и автоматизации

33 - конденсатор оксидный неполяризованный;

34 - конденсатор проходной (дуга обозначает корпус, внешний электрод);

35 - конденсатор переменной емкости (стрелка обозначает ротор);

36 - конденсатор подстроечный, общее обозначение;

37 - вариконд;

38 - конденсатор помехоподавляющий;

39 - светодиод;

40 - туннельный диод;

41 - лампа накаливания осветительная и сигнальная;

42 - звонок электрический;

43 - элемент гальванический или аккумуляторный;

44 - линия электрической связи с одним ответвлением;

45 - линия электрической связи с двумя ответвлениями;

46 - группа проводов, подключенных к одной точке электрическою соединения. Два провода;

47 - четыре провода, подключенных к одной точке электрическою соединения;

48 - батарея из гальванических элементов или батарея аккумуляторная;

49 - кабель коаксиальный. Экран соединен с корпусом;

50 - обмотка трансформатора, автотрансформатора, дросселя, магнитного усилителя;

51 - рабочая обмотка магнитного усилителя;

52 - управляющая обмотка магнитного усилителя;

53 - трансформатор без сердечника (магнитопровода) с постоянной связью (точками обозначены начала обмоток);

54 - трансформатор с магнитодиэлектрическим сердечником;

55 - катушка индуктивности, дроссель без магнитопровода;

56 - трансформатор однофазный с ферромагнитным магнитопроводом и экраном между обмотками;

57 - трансформатор однофазный трехобмоточный с ферромагнитным магнитопроводом с отводом во вторичной обмотке;

58 - автотрансформатор однофазный с регулированием напряжения;

59 - предохранитель;

60 - предохранитель выключатель;

61 - предохранитель-разъединитель;

62 - соединение контактное разъемное;

63 - усилитель (направление передачи сигнала указывает вершина треугольника на горизонтальной линии связи);

64 - штырь разъемного контактного соединения;

Рис 1.1 Условные графические обозначения ЭРЭ в схемах электрических радиотехнических и автоматизации

65 - гнездо разъемного контактного соединения,

66 - контакт разборного соединения например с помощью зажима

67 - контакт неразборного соединения, например осуществленного пайкой

68 - выключатель кнопочный однополюсный нажимной с замыкающим контактом самовозвратом

69 - контакт коммутационного устройства размыкающий, общее обозначение

70 - контакт коммутационного устройства (выключателя, реле) замыкающий, общее обозначение. Выключатель однополюсный.

71 - контакт коммутационного устройства переключающий, общее обозначение. Однополюсный переключатель на два направления.

72- контакт переключающий трехпозиционный с нейтральным положением

73 - контакт замыкающий без самовозврата

74 - выключатель кнопочный нажимной с размыкающим контактом

75 - выключатель кнопочный вытяжной с замыкающим контактом

76 - выключатель кнопочный нажимной с возвратом кнопки,

77 - выключатель кнопочный вытяжной с размыкающим контактом

78 - выключатель кнопочный нажимной с возвратом посредством вторичного нажатия кнопки,

79 - реле электрическое с замыкающим размыкающим и переключающим контактами,

80 - реле поляризованное на одно направление тока в обмотке с нейтральным положением

81 - реле поляризованное на оба направления тока в обмотке с нейтральным положением

82 - реле электротепловое без самовозврата, с возвратом посредством вторичного нажатия кнопки,

83 - разъемное однополюсное соединение

84 - гнездо пятипроводного контактного разъемного соединения

85 - штырь контактного разъемного коаксиального соединения

86 - гнездо контактного соединения

87 - штырь четырехпроводного соединения

88 - гнездо четырехпроводного соединения

89 - перемычка коммутационная размыкающая цепь

Таблица 1.1. Буквенные обозначения элементов схем

Продолжение табл.1.1

Транзистор (от английских слов tran(sfer) — переносить и (re)sistor — сопротивление) — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Наиболее распространены так называемые биполярные транзисторы . Электропроводность эмиттера и коллектора всегда одинаковая (р или n), базы — противоположная (n или р). Иными словами, биполярный транзистор содержит два р-n-перехода: один из них соединяет базу с эмиттером (эмиттерный переход), другой — с коллектором (коллекторный переход).

Буквенный код транзисторов — латинские буквы VT. На схемах эти полупроводниковые приборы обозначают, как показано на рис. 8.1 . Здесь короткая черточка с линией от середины символизирует базу, две наклонные линии, проведенные к ее краям под углом 60°, — эмиттер и коллектор. Об электропроводности базы судят по символу эмиттера: если его стрелка направлена к базе (см. рис. 8.1 , VT1), то это означает, что эмиттер имеет электропроводность типа р, а база— типа n; если же стрелка направлена в противоположную сторону (VT2), электропроводность эмиттера и базы обратная.

Знать электропроводность эмиттера базы и коллектора необходимо для того, чтобы правильно подключить транзистор к источнику питания. В справочниках эту информацию приводят в виде структурной формулы. Транзистор, база которого имеет электропроводимость типа n, обозначают формулой р-п-р, а транзистор с базой, имеющей электропроводность типа р, обозначают формулой n-р-n. В первом случае на базу и коллектор следует подавать отрицательное по отношению к эмиттеру напряжение, во втором — положительное.

Для наглядности условное графическое обозначение дискретного транзистора обычно помещают в кружок, символизирующий его корпус. Иногда металлический корпус соединяют с одним из выводов транзистора. На схемах это показывается точкой в месте пересечения соответствующего вывода с символом корпуса. Если же корпус снабжен отдельным выводом, линию-вывод допускается присоединять к кружку без точки (VT3 на рис. 8.1 ). В целях повышения информативности схем рядом с позиционным обозначением транзистора допускается указывать его тип.

Линии электрической связи, идущие от эмиттера и коллектора проводят в одном из двух направлений: перпендикулярно или параллельно выводу базы (VT3—VT5). Излом вывода базы допускается лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (VT4).

Транзистор может иметь несколько эмиттерных областей (эмиттеров). В этом случае символы эмиттеров обычно изображают с одной стороны символа базы, а окружность обозначения корпуса заменяют овалом (рис. 8.1 , VT6).

Стандарт допускает изображать транзисторы и без символа корпуса, например, при изображении бескорпусных транзисторов или когда на схеме необходимо показать транзисторы, входящие в состав сборки транзисторов или интегральной схемы.

Поскольку буквенный код VT предусмотрен для обозначения транзисторов, выполненных в виде самостоятельного прибора, транзисторы сборок обозначают одним из следующих способов: либо используют код VT и присваивают им порядковые номера наряду с другими транзисторами (В этом случае на поле схемы помещают такую, например, запись: VT1-VT4 К159НТ1), либо используют код аналоговых микросхем (DA) и указывают принадлежность транзисторов в сборке в позиционном обозначении (рис. 8.2 , DA1.1, DA1.2). У выводов таких транзисторов, как правило, приводят условную нумерацию, присвоенную выводам корпуса, в котором выполнена матрица.

Без символа корпуса изображают на схемах и транзисторы аналоговых и цифровых микросхем (для примера на рис. 8.2 показаны транзисторы структуры п-р-п с тремя и четырьмя эмиттерами).

Условные графические обозначения некоторых разновидностей биполярных транзисторов получают введением в основной символ специальных знаков. Так, чтобы изобразить лавинный транзистор, между символами эмиттера и коллектора помещают знак эффекта лавинного пробоя (см. рис. 8.3 , VT1, VT2). При повороте УГО положение этого знака должно оставаться неизменным.

Иначе построено УГО однопереходного транзистора: у него один р-п-переход, но два вывода базы. Символ эмиттера в УГО этого транзистора проводят к середине символа базы (рис. 8.3 , VT3, VT4). Об электропроводности последней судят по символу эмиттера (направлению стрелки).

На символ однопереходного транзистора похоже УГО большой группы транзисторов с p-n-переходом, получивших название полевых . Основа такого транзистора — созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью п или р-типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод — затвор. Канал изображают так же, как и базу биполярного транзистора, но помещает в середине кружка-корпуса (рис. 8.4 , VT1), символы истока и стока присоединяют к нему с одной стороны, затвора — с другой стороны на продолжении линии истока. Электропроводность канала указывают стрелкой на символе затвора (на рис. 8.4 условное графическое обозначение VT1 символизирует транзистор с каналом п-типа, VT1 — с каналом p-типа).

В условном графическом обозначении полевых транзисторов с изолированным затвором (его изображают черточкой, параллельной символу канала с выводом на продолжении линии истока) электропроводность канала показывают стрелкой, помещенной между символами истока и стока. Если стрелка направлена к каналу, то это значит, что изображен транзистор с каналом n-типа, а если в противоположную сторону (см. рис. 8.4 , VT3) — с каналом p-типа. Аналогично поступают при наличии вывода от подложки (VT4), а также при изображении полевого транзистора с так называемым индуцированным каналом, символ которого — три коротких штриха (см. рис. 8.4 , VT5, VT6). Если подложка соединена с одним из электродов (обычно с истоком), это показывают внутри УГО без точки (VT1, VT8).

В полевом транзисторе может быть несколько затворов. Изображают их более короткими черточками, причем линию-вывод первого затвора обязательно помещают на продолжении линии истока (VT9).

Линии-выводы полевого транзистора допускается изг[цензура] лишь на некотором расстоянии от символа корпуса (см. рис. 8.4 , VT2). В некоторых типах полевых транзисторов корпус может быть соединен с одним из электродов или иметь самостоятельный вывод (например, транзисторы типа КПЗ03).

Из транзисторов, управляемых внешними факторами, широкое применение находят фототранзисторы . В качестве примера на рис. 8.5 показаны условные графические обозначения фототранзисторов с выводом базы (FT1, VT2) и без него (К73). Наряду с другими полупроводниковыми приборами, действие которых основано на фотоэлектрическом эффекте, фототранзисторы могут входить в состав оптронов. УГО фототранзистора в этом случае вместе с УГО излучателя (обычно светодиода) заключают в объединяющий их символ корпуса, а знак фотоэффекта — две наклонные стрелки заменяют стрелками, перпендикулярными символу базы.

Для примера на рис. 8.5 изображена одна из оптопар сдвоенного оптрона (об этом говорит позиционное обозначение U1.1), Аналогично строится У ГО оптрона с составным транзистором (U2).